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기록
光耦合结构及其集成光子芯片
발명유효
1조회수
12청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
田斌; 辛田; 冯大增
IPC 분류
G02B 6/12 (2006.01)G02B 6/122 (2006.01)
本申请提供一种光耦合结构及其集成光子芯片,该光耦合结构包括:第一硅基光子平台以及第二硅基光子平台;第一硅基光子平台包括第一光波导结构以及支撑限位结构,第二硅基光子平台包括第二光波导结构以及定位结构;第二硅基光子平台通过定位结构耦合于支撑限位结构,并设置于第一硅基光子平台上;其中,第二光波导结构位于第一光波导结构的波导延伸方向,并且第一硅基光子平台与第二硅基光子平台的硅层厚度不同,实现厚硅与薄硅平台优势互补,既保留厚硅平台低损耗和器件库成熟稳定特性,又兼顾薄硅平台高集成度优势,通过结构定位保障光信号传输的连续性,提升硅基光子器件的集成度与性能,形成高集成度、低传输损耗的光传输平台。