一种GeSe相变光开关及其激光热敏光刻制备方法

本发明公开了一种GeSe相变光开关及其激光热敏光刻制备方法，将GeSe材料作为相变光开关的相变层相比传统的三元或四元相变材料，具有组分简单、制备工艺稳定、环境友好等优点。通过本发明开发的激光热敏光刻制备方法，可使本发明制备的光开关实现更高的消光比，确保了光信号的有效切换；同时具有更高的光刻精度，最小特征尺寸可达100‑200nm，提高了光开关的集成度和性能，并能够更加精准的控制GeSe材料在光开关中的相变过程，进一步帮助光通信器件实现低功耗、高集成、高可靠方向发展。