一种等离子体刻蚀腔的清洁方法

本发明提供了一种等离子体刻蚀腔的清洁方法，涉及半导体制造技术领域，为解决相关技术采用的清洁方法，难以在腔室内部形成致密的氧化膜的问题而设计。该等离子体刻蚀腔的清洁方法包括：向刻蚀腔通入清洁气体，以去除腔室内部的反应副产物，并在腔室的内壁形成氧化层；向刻蚀腔通入载气和有机硅烷的混合气体，以在内壁形成有机硅烷吸附层；向刻蚀腔通入第一吹扫气体，以使有机硅烷吸附层的厚度为单原子层厚度；向刻蚀腔通入氧源气体，并形成氧源气体的等离子体，以与有机硅烷吸附层反应生成单原子层厚度的氧化硅沉积层；重复上述步骤，以在腔室内部形成设定厚度的氧化硅沉积层。本发明能够在腔室内部形成致密的氧化膜。