一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法

本发明提供一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法，涉及激光芯片技术领域，包括衬底、低温成核层、高温恢复层、应力调控型纳米掩膜复合缺陷阻断层、n型氮化物DBR反射镜、有源区及极化增强型隧穿结等，其中，缺陷阻断层采用原位氮化硅纳米多孔掩膜层配合氮化铝镓/氮化镓应力补偿超晶格层，通过脉冲式侧向外延过生长湮灭穿透性位错，n型氮化物DBR反射镜采用AlInN/GaN晶格匹配材料体系结合氢气刻蚀中断修饰技术，实现了零裂纹、高反射率的厚膜生长，顶部使用极化增强型隧穿结取代ITO，利用InGaN中的压电极化增强空穴隧穿几率，实现了低工作电压、无吸收损耗的高效电流注入，显著降低了位错密度和器件电压，提升了外延片良率和光电转换效率。