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기록
具有堆叠结构的半导体器件
발명유효
3조회수
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
陈天; 黄磊; 张坤; 韩玉辉; 张中; 周文犀; 夏志良
IPC 분류
H10B 41/20 (2023.01)H10B 41/35 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)H10B 43/20 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)
本公开内容涉及用于管理具有堆叠结构的半导体器件的方法、器件、系统和技术。示例半导体器件包括控制半导体结构和阵列半导体结构。阵列半导体结构沿着第一方向堆叠并且耦合到控制半导体结构。阵列半导体结构至少包括第一阵列半导体结构和第二阵列半导体结构。第一阵列半导体结构包括:第一阵列区域;第一连接区域,沿着正交于第一方向的第二方向与第一阵列区相邻;第一阵列区域中的第一位线连接结构;第一字线接触结构,在第一连接区域中沿着第一方向延伸;以及在第一连接区域中沿着第一方向延伸的第一字线连接结构。