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기록

半导体结构

발명유효
3조회수
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10B 41/41 (2023.01)H10B 41/50 (2023.01)H10B 41/27 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)H10B 43/50 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)H10B 80/00 (2026.01)H10W 80/00 (2026.01)

本公开实施例涉及一种半导体结构。包括:第一基底,所述第一基底的第一表面形成有第一存储结构;第二基底,所述第二基底的第一表面形成有第一控制结构,所述第二基底的第二表面为所述第二基底的第一表面的相对面;所述第一基底键合于所述第二基底的第一表面侧,所述第一存储结构和所述第一控制结构电连接;第一引出结构,用于将所述第一控制结构引出到所述第二基底的所述第二表面。本公开的半导体结构,提高了存储器件的存储密度。