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기록
集成电路封装件及其形成方法
발명유효
3조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
苏安治; 李孟灿; 刘淳亦; 陈世伟; 刘泰佑; 施伯昌; 叶德强
IPC 분류
H10B 80/00 (2026.01)H10W 70/65 (2026.01)H10W 20/43 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)H10W 72/00 (2026.01)H10W 74/01 (2026.01)
提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件可以包括：第一再分布结构；第一桥接管芯，位于第一再分布结构上方；第一密封剂，位于第一桥接管芯周围；第二再分布结构，位于第一桥接管芯和第一密封剂上方；第一逻辑管芯、第二逻辑管芯和第一输入/输出(I/O)管芯，位于第二再分布结构上方；以及第二密封剂，位于第一逻辑管芯、第二逻辑管芯和第一I/O管芯周围。第一I/O管芯在顶视图中可以位于第一逻辑管芯和第二逻辑管芯之间。第一桥接管芯可以将第一再分布结构电连接至第二再分布结构。第一I/O管芯可以将第一逻辑管芯电连接至第二逻辑管芯。