一种鳍式场效应晶体管及其形成方法

本申请提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，形成半导体结构；半导体结构包括位于衬底一侧的多个鳍、保护层和光刻胶层；多个鳍包括伪鳍，光刻胶层具有沟槽；对沟槽进行测量得到第一尺寸和中心偏移量；根据第一尺寸、中心偏移量和目标区域的第二尺寸，确定第一修正量和第二修正量；第一修正量和第二修正量为在排列方向上，分别沿正方向和负方向的修正量；根据第一修正量和第二修正量，对沟槽进行离子束刻蚀处理得到目标沟槽。这样，预先确定出沟槽相对于目标区域的位置偏差，利用离子束刻蚀对沟槽进行扩大，修正沟槽的大小及位置以使其位于伪鳍的正上方，保障能够对待去除的伪鳍进行精确刻蚀，避免对其他鳍造成损伤，提高器件性能。