一种半导体器件及其制备方法

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在其一侧形成外延层；在外延层内形成多个间隔设置的第一沟槽；基于第一注入角度，于第一沟槽底部的外延层中形成第一屏蔽区，其导电类型与外延层相反，且其底部与外延层底部间隔设置；基于第二注入角度，在第一沟槽侧壁以及侧壁与底部的连接处的外延层中形成与第一屏蔽区连接的第二屏蔽区，两者的导电类型相同，且第一屏蔽区的掺杂浓度小于第二屏蔽区；在相邻两个第一沟槽之间形成第二沟槽；形成填充第一沟槽的绝缘介质层；在第二沟槽内形成栅极结构层；形成与第二屏蔽区电连接的第一电极层以及与栅极结构层电连接的第二电极层。上述本申请工艺难度低、制造成本低且器件良率高。