具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法

本申请涉及具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法。例如，一种半导体装置[100]包含半导体层[108]、设置在所述半导体层中的源极区[110]、设置在所述半导体层中的漏极区[114]、在所述源极区与所述漏极区之间设置在所述半导体层中的绝缘层[118]，以及在所述源极区与所述漏极区之间设置在所述半导体层上方的栅极[122]，所述栅极覆盖所述绝缘层的一部分。所述绝缘层具有朝向所述源极区延伸的第一侧壁[213]和朝向所述漏极区延伸的第二侧壁[214]，所述第一侧壁具有第一斜率并且所述第二侧壁具有大于所述第一斜率的第二斜率。