浓度补偿型超结结构及其形成方法

本发明提供一种浓度补偿型超结结构及其形成方法。该方法包括：在外延层中刻蚀沟槽形成第一导电类型的掺杂柱后，在填充沟槽前，对该掺杂柱的侧壁上部区域执行带角度的同类型离子注入，以形成浓度补偿区。本发明通过在第一导电类型的掺杂柱上部增加局部掺杂浓度，有效补偿了因沟槽形貌导致的电荷失衡，该方法对工艺波动具有自适应性，在不改变复杂外延工艺的条件下，能够显著提升器件的击穿电压、拓宽工艺窗口并提高产品良率。