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一种二维铁电材料及其制备方法和应用

발명유효
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§ Ⅰ

개요

발명자

刘碧录; 李晟楠; 王经纬; 张云豪

IPC 분류

H10D 62/80 (2025.01)H10B 51/00 (2023.01)H10B 53/00 (2023.01)H10D 62/00 (2026.01)

本发明公开了一种二维铁电材料及其制备方法和应用;该二维铁电材料的成分为二维硒化铟,在所述二维硒化铟的表面具有硒化铟褶皱构筑的结构。本发明提供的二维铁电材料为二维硒化铟,在二维硒化铟的表面具有硒化铟褶皱构筑的结构,褶皱结构组成的应变网络超结构的二维铁电材料尺寸较大,材料中具有范德华作用力,材料表面无悬挂键,具有较大的矫顽电压,在芯片计算与存储等领域具有很好的应用前景。