栅极氧化层及栅极的制备方法

本发明提供一种栅极氧化层及栅极的制备方法，先通过在含氮气体氛围下对硅基衬底进行快速热退火处理，该方式属于无损伤掺氮方式，可以先在硅基衬底表面进行氮预掺杂，以减少后续等离子体氮掺杂所需掺杂量，从而降低等离子体氮掺杂工艺对SiON栅极氧化层的损伤，且减少SiON栅极氧化层与硅基衬底界面之间的界面缺陷；另外，形成氮预掺杂层后再对硅基衬底进行热氧化工艺形成二氧化硅栅极氧化层，降低对SiON栅极氧化层膜质的损伤，且进一步减少SiON栅极氧化层与硅基衬底界面之间的界面缺陷；再者，激光快速退火处理，可去除SiON栅极氧化层表面的本征氧化层，同时修复等离子体掺氮处理过程造成的SiON栅极氧化层晶格损伤，提高膜质，并对界面进行修复。