一种半导体结构及制备方法、集成电路

本申请公开一种半导体结构及制备方法、集成电路，该半导体结构包括衬底以及形成在衬底的上表面的栅极结构。该栅极结构包括在所述衬底上依次形成的第一介质层、第一阻挡层及金属导电层。该第一阻挡层含有具有亲氧功能的金属元素，该第一阻挡层靠近第一介质层的部位含有的金属元素浓度大于该第一阻挡层远离第一介质层的部位含有的金属元素浓度。该半导体结构可以抑制不利氧对半导体结构的栅极阈值电压改变和载流子迁移率的影响，从而保证栅极结构的电学性能表现。