异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件

本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。所述异质结太阳电池包括：硅基底；第一钝化层，所述第一钝化层位于所述硅基底上；缓冲层，所述缓冲层设置于所述第一钝化层背离所述硅基底的一侧表面，所述缓冲层中包括晶体结构，所述缓冲层的表面粗糙度Ra为0.3nm～0.8nm；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置于所述缓冲层背离所述第一钝化层一侧表面。该异质结太阳电池中的第一掺杂硅层的晶化率高，且结晶质量好，进而有助于提升异质结太阳电池的光电转化效率。