一种降低线列探测器形变应力的支撑台结构制备方法

一种降低线列探测器形变应力的支撑台结构制备方法，解决了现有Ⅱ类超晶格线列探测器公共电极沟槽存在高度差、倒装互连工艺困难、内部应力大的问题，属于红外探测器技术领域。制备方法包括：(1)清洗外延片；(2)使用PECVD方式，沉积SiO硬掩模；(3)光刻；(4)采用RIE反应离子刻蚀工艺，刻蚀SiO硬掩模；(5)去胶清洗；(6)使用ICP干法刻蚀；(7)将刻蚀好的外延片进行腐蚀、清洗，吹干；(8)使用RIE刻蚀残余SiO；(9)像元刻蚀，钝化开孔；(10)电极沉积。本发明设计降低了红外线列探测器芯片内部应力，公共电极槽附近像元受力更加均匀，提高探测器光电响应均匀性。