一种太阳电池及其制备方法

本发明公开了一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池的制备方法包括：对N型硅衬底表面的本征非晶硅层进行HPT处理，得到氢化本征非晶硅层；于氢化本征非晶硅层的表面制备掺杂微晶硅层；HPT处理以氢气和SiH作为反应气源，氢气与SiH的气体流速比为600:1至900:1；HPT处理的沉积功率为500W~8000W。通过上述HPT处理，一方面能够降低氢刻蚀以及轰击损伤，提高本征非晶硅层的质量，提高少数载流子寿命及开路电压；另一方面可加速晶种成核过程，减少微晶层的孵育层厚度，从而促进微晶层的结晶，提高晶化率。