一种含PECVD沉积的氮氧化硅膜层太阳能电池和制备方法

本发明公开了一种含PECVD沉积的氮氧化硅膜层太阳能电池和制备方法，属于太阳能电池制造技术领域，其技术方案为S1、进舟，S2、温度控制；S3、第一次抽真空；S4、预充气；S5、沉积；S6、第二次抽真空；S7、清洗；S8、第三次抽真空；S9、回压；S10、出舟；本发明提供的一种含PECVD沉积的氮氧化硅膜层太阳能电池和制备方法，通过在背面淀积氮氧化硅增强了太阳能电池的背面钝化效果，减小载流子的复合；通过在正面表层淀积氮氧化硅薄膜，使太阳能电池在300‑500nm之间的短波光反射率降低，增强了对短波光的吸收，提高了太阳能电池的光电转换效率。