异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件

本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。异质结太阳电池包括：硅基底，以及依次设于硅基底上的第一本征硅层、N型掺杂层、第一透明导电层、第一电极；第一透明导电层中的材质包括InO和SnO，其包括叠层设置的第一子层和第二子层，第一子层设置在N型掺杂层背离第一本征硅层的表面，第一子层、第二子层中的SnO的质量百分含量分别为X、X，X、X比值满足：X：X＝(1:1.5)～(1:10)，第一子层与第二子层的厚度比为(4:1)～(15:1)。该异质结太阳电池的第一透明导电层的导电性和光透过率均得到有效提升，从而较高程度的提高异质结太阳电池的光电转化效率。