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기록
一种基于绿光ZnSeTe量子点材料的全溶液倒置量子点发光二极管及其制备方法
발명유효
8조회수
8청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
曹盛; 梁艺; 赵家龙
IPC 분류
H10K 50/115 (2023.01)C09K 11/88 (2006.01)C09K 11/02 (2006.01)B82Y 20/00 (2011.01)B82Y 30/00 (2011.01)H10K 50/16 (2023.01)H10K 71/00 (2023.01)H10K 71/12 (2023.01)H10K 71/40 (2023.01)H10K 71/60 (2023.01)
本发明公开了一种基于绿光ZnSeTe量子点材料的全溶液倒置量子点发光二极管及其制备方法，涉及量子点发光二极管技术领域。所述发光二极管从下往上依次层叠设置有ITO阴极、双层电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极；所述量子点发光层由绿光ZnSeTe量子点组成，所述绿光ZnSeTe量子点的表面结合有无机短链配体NHPF。本发明通过采用无机短链配体NHPF处理绿光ZnSeTe量子点作为量子点发光层，并用于制备全溶液倒置量子点发光二极管，可使发光二极管具有优异的电致发光性能。