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기록
元器件制备方法、系统、芯片产品及设备
발명유효
2조회수
14청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
李登峰; 安硕明; 胡晶晶; 李渊; 戴茂春; 郑一聪; 张胜誉
IPC 분류
H10N 60/01 (2023.01)H10N 60/82 (2023.01)H10N 60/83 (2023.01)
本申请公开了一种元器件制备方法、系统、芯片产品及设备,涉及微纳加工技术领域。所述方法包括:刻蚀基底表面的第一区域,形成带有凹槽的基底,凹槽的底部具有凸起部分;采用第一溶液腐蚀凸起部分,得到带有整平处理后凹槽的基底;在带有整平处理后凹槽的基底上蒸镀导体膜层,得到带有第一元器件的基底。本申请在第一元器件的制备过程中,通过先腐蚀凹槽上的凸起部分,再基于整平处理后凹槽蒸镀导体膜层,降低了导体膜层因凸起部分而断裂的几率,从而有效提高了元器件的制备稳定性。