碳化硅衬底及其制备方法和碳化硅外延片及其制备方法

本公开提供了外延生长用碳化硅衬底及其制备方法、以及碳化硅外延片及其制备方法。在一方面中，提供了一种外延生长用碳化硅衬底的制备方法，该制备方法包括：对碳化硅衬底的表面进行离子注入，以在该表面下方形成损伤区；以及对经过离子注入的碳化硅衬底进行退火，以使损伤区再结晶并形成包括有位错环的缺陷吸杂层。由此，可以显著降低外延层中缺陷的密度，获得晶体质量更优异的碳化硅外延片。