一种半导体结构的刻蚀方法

本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，该半导体结构的刻蚀方法包括提供一半导体基底，于半导体基底上依次形成氧化硅层、氮化硅层及光刻胶层，并在光刻胶层上形成光刻胶开口。基于光刻胶开口采用由氢氟烃、氧气及氩气形成的混合气体刻蚀氮化硅层，在刻蚀过程中，反应腔室内分解的H与F的质量分数比为1：15~1：20，C的质量分数介于所述H的质量分数与F的质量分数之间，使氮化硅与氧化硅的选择刻蚀比介于8:1~9:1，以获得氮化硅开口。通过上述方案，本发明能够在保护下层氧化硅的同时，对氮化硅进行高速率刻蚀，实现氮化硅与氧化硅的选择刻蚀比介于8:1~9:1，并形成较好的刻蚀形貌。