基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法

本发明涉及半导体器件制造与工艺技术领域，具体涉及基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法。包括：步骤S1：在硅基底表面光刻制备掩膜，暴露刻蚀区；步骤S2：利用ICP设备，通过毫秒级脉冲切换的循环刻蚀与钝化工艺，制备出垂直度高、侧壁光滑的高深宽比Trench结构；步骤S3：对沟槽进行多级清洗去杂，并经梯度升温退火修复晶格损伤；步骤S4：进行外延生长或绝缘介质的无空洞致密填充，形成TVS器件隔离结构。本发明减少了因界面粗糙引入的悬挂键和缺陷能级，防止了局部电场集中。