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기록
再分布结构及包括该再分布结构的半导体封装
발명유효
2조회수
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
李泰勋; 李晟旭; 崔圭振; 崔允祯
IPC 분류
H10W 70/65 (2026.01)H10W 70/68 (2026.01)H10W 74/10 (2026.01)
提供了一种具有减少的寄生电容的再分布结构。该再分布结构可以包括通孔层和在与通孔层垂直的第一方向上设置在通孔层上的布线层,布线层包括金属板和被配置为在第一方向上穿透金属板的第一绝缘图案。第一绝缘图案的外侧表面可以从金属板的侧表面暴露。