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기록
通过聚焦环增强碳膜边缘厚度轮廓可调整性
발명유효
1조회수
30청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
郑慧峰; 康虎; 王栋; 李玉辉; 约瑟夫·林德赛·沃马克; 李明
IPC 분류
C23C 16/458 (2006.01)C23C 16/50 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)
公开了用于控制半导体晶圆边缘区域处的处理均匀性的方法和装置。在一些实施方案中，该方法包括沉积含碳膜。本文还提供聚焦环，包括其可实施为在晶圆边缘处对处理环境进行控制。