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吸附控制方法和成膜装置

발명유효
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§ Ⅰ

개요

발명자

倪泽远; 松本贵士; 松崎和爱; 松隈正明

IPC 분류

C23C 16/52 (2006.01)C23C 16/30 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)H10P 14/24 (2026.01)

提供一种用于控制第二层的原料向第一层的吸附的吸附控制方法,所述吸附控制方法包括以下步骤:在腔室内的载置台准备具有所述第一层的基板;向所述腔室内供给所述第二层的原料,并将所述第一层的表面暴露在所述原料中;以及通过控制对所述第一层的表面的缺陷提供的电荷,来控制所述原料向所述第一层的表面的吸附。