基于图案形成装置的热机械性质的空间变化来增强图案化过程

光刻和/或其它设备中的对准校正和/或其它调整通常假定空间上均匀材料被用于诸如掩模版之类的图案形成装置。然而，实际上，在半导体处理期间，跨越图案形成装置（例如，掩模版）的热膨胀系数和/或其它热机械性质存在局部差异。有利地，本系统和方法基于跨越诸如掩模版之类的图案形成装置的一种或更多种热机械性质的空间变化来增强诸如光刻之类的图案化过程，并且基于模拟相对于诸如半导体晶片之类的衬底来对准所述掩模版，以增强半导体制造过程的重叠和/或其它性能指标。