半导体装置及半导体装置的制造方法

提供一种占有面积小的半导体装置。半导体制造包括纵向晶体管、TGSA型晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层。两个晶体管都包括以夹持半导体层的方式设置的两个栅电极（栅电极及背栅电极）。第一绝缘层位于纵向晶体管的源电极和漏电极中的一个与背栅电极之间，第二绝缘层位于纵向晶体管的背栅电极与源电极和漏电极中的另一个之间。沿着设置在第一绝缘层、背栅电极、第二绝缘层及源电极和漏电极中的另一个的开口部的侧壁依次设置有纵向晶体管的背栅极绝缘层、半导体层、栅极绝缘层及栅电极。TGSA型晶体管设置在第二绝缘层上。两个晶体管的背栅极绝缘层具有对半导体层供应氧的功能。