等离子体处理方法和等离子体处理装置

等离子体处理方法包括工序a1)、工序a2)以及工序a3)。在工序a1)中，在腔室内将第一气体和第二气体等离子体化，由此利用具有导电性的膜对腔室内的部件的表面进行涂覆。在工序a2)中，向腔室内搬入基板。在工序a3)中，在利用具有导电性的膜对腔室内的部件的表面进行了涂覆的状态下，在腔室内将第三气体等离子体化，由此对基板进行处理。另外，第一气体包含碳、硅以及锗中的至少任一者，第二气体包含硼、氮、磷以及砷中的至少任一者。