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기록
半导体装置及其制造方法
발명유효
9조회수
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
青木佳祐
IPC 분류
H10W 20/45 (2026.01)H10W 20/48 (2026.01)H10P 54/00 (2026.01)H10P 14/40 (2026.01)H10D 84/03 (2025.01)H10D 84/00 (2025.01)H10D 84/40 (2025.01)H10D 84/83 (2025.01)H10F 39/18 (2025.01)H10F 39/12 (2025.01)
[问题]本发明提供能够适当地抑制裂纹的扩展的半导体装置及制造半导体装置的方法。[解决方案]半导体装置包括第一基板和设置在所述第一基板上的绝缘膜,其中,所述绝缘膜包括设置在不同高度处的多个空洞,并且所述多个空洞以阶梯状的方式布置。