一种氧化镓衬底及其化学机械抛光方法与应用

本发明公开了一种氧化镓衬底及其化学机械抛光方法与应用，属于半导体材料超精密加工技术领域。该方法是将氧化镓衬底依次进行粗抛、精抛和终抛，控制所述氧化镓衬底的表面粗糙度Ra≤0.1nm、亚表面损伤深度<10nm；所述粗抛采用含解理抑制剂的复合悬浮研磨液进行抛光；所述精抛采用含纳米氧化铈和勃姆石的复合磨料对粗抛后衬底的不同晶面进行抛光；所述终抛采用中性抛光液在超声辅助和光催化下进行抛光；所述中性抛光液中含有稀土离子掺杂的氧化铈磨料。本发明的方法不仅抑制了氧化镓衬底在抛光过程中的解理现象，降低了表面粗糙度并减少表面缺陷，且可以提高不同晶面抛光的一致性，特别适合应用于半导体。