真空吸附盘以及方形基板研磨装置

本发明提供了一种真空吸附盘以及方形基板研磨装置，属于半导体的技术领域。真空吸附盘设置为矩形，其包括：圆盘区和边角区。圆盘区设置于真空吸附盘的中心区域。边角区设置有四个；边角区分别设置在真空吸附盘的四角位置；边角区和圆盘区构成一个矩形；圆盘区的高度高于边角区的高度。本发明提供的方形基板研磨装置采用中心圆盘区搭配四角独立边角区的分层式矩形真空吸附承载结构，基板四角不会长时间承受均匀高压，边缘材料去除速率能够与基板中心区域趋于一致，有效改善整片基板表面抛光均匀性。