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一种空位浓度可调控的片层状二硫化钼材料及其制备和应用

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§ Ⅰ

개요

발명자

成汉文; 车仁超; 刘家君; 杨利廷; 游文彬; 于淑萍; 徐欣松

출원일

Jul 1, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

C01G 39/06 (2006.01)H05K 9/00 (2006.01)

本发明涉及一种空位浓度可调控的片层状二硫化钼材料及其制备和应用,该制备方法具体为:将溶剂热反应获得的片层状二硫化钼前驱体,经金属盐溶液负载处理、瞬态脉冲焦耳加热以及酸刻蚀后,得到空位浓度可调控的片层状二硫化钼材料。与现有技术相比,本发明可通过调控金属盐浓度,实现对二硫化钼空位浓度的调控。所得材料具有片层结构完整、空位浓度可调和电磁响应性能高等特点,解决了二硫化钼缺陷调控方法中空位浓度难以调节、处理过程复杂、结构易破坏以及电磁损耗能力不足等问题。所得材料在电磁波吸收与低维电磁功能材料领域展现出良好的应用潜力。