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기록
喷淋头结构及具有其的衬底处理室和半导体处理设备
발명알 수 없음
1조회수
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§ Ⅰ
개요
발명자
V·乌帕达亚; 金大渊; 中野龙; P·A·拉居
출원일
Apr 1, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
C23C 16/455 (2006.01)H01J 37/32 (2006.01)H10P 72/00 (2026.01)C23C 16/50 (2006.01)
在一个实施例中,一种用于向衬底处理室供应气体的喷淋头结构,包括:第一板,其包括多个反应物气体入口孔和经由至少一个第一通道穿透第一板的至少一个源气体入口孔,其中第一通道水平地形成在第一板的内部;以及第二板,其包括从第二板的中心延伸到第二板边缘的凹部、多个反应物气体出口孔和多个源气体出口孔,其中多个第二通道将多个反应物气体入口孔连接到多个反应物气体出口孔。