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一种织构调控选择性制备特定指数晶面单晶铜箔及其制备方法
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
C30B 1/02 (2006.01)C22F 1/08 (2006.01)C25F 3/22 (2006.01)C22F 1/02 (2006.01)C30B 29/02 (2006.01)C30B 29/64 (2006.01)C30B 7/12 (2006.01)
本发明提供一种织构调控选择性制备特定指数晶面单晶铜箔及其制备方法,包括以下步骤:a)对多晶铜板进行表面清洁后,进行多道次冷轧处理,得到冷轧铜箔;b)对所述步骤a)所得冷轧铜箔进行清洗和低温再结晶退火处理;c)将所述步骤b)所得铜箔进行电解抛光处理;d)将所述步骤c)所得铜箔在还原性气氛下进行高温退火处理,得到低指数晶面单晶铜箔;或者,将所述步骤c)所得铜箔先进行预氧化处理,再在还原性气氛下进行高温退火处理,得到高指数晶面单晶铜箔。本发明利用单晶化方法制备出的铜箔导电性能、力学性能优异,有望未来实现工业化、大规模生产。