一种β-氧化镓导模法单晶生长装置及方法

本发明公开了一种β‑氧化镓导模法单晶生长装置及方法。装置中，模具上的毛细狭缝的宽度自下至上逐步减小，模具的上表面上设有开槽，开槽开设在毛细狭缝的两侧，开槽平行于毛细狭缝，开槽的两端分别延伸至模具的上表面两端，毛细狭缝两侧的开槽的距离等于β‑氧化镓单晶的设计厚度。本发明通过设置毛细狭缝的宽度自下至上逐步减小，解决了宽幅熔体供给不均问题，还通过设置开槽，消除边缘孪晶、开裂缺陷，彻底抑制贯穿孪晶，从而实现4~6英寸大厚度无孪晶氧化镓板状单晶稳定制备，省去大量切片损耗，原材料利用率显著提升，适配工业化大批量生产。