碳化硅晶体生长的自适应功率控制方法

一种碳化硅晶体生长的自适应功率控制方法，先依据实际生长工艺，提前预设目标温度、参考热效率、偏差阈值与下限阈值等基础参数。系统以固定频率采集测温区域温度、设备输入功率、工作频率及工作电流数据，筛除异常温度数据后合成有效生长温度，再计算实时温升速率，依托各项核心参数构建完整系统状态向量。通过温升速率与输入功率求解等效热效率，对比标准参考值计算偏差，依照阈值规则智能修正输出功率。将更新后的功率参数输送至电源柜，同时按需优化工作频率，筛选最优工作参数，全程循环调控，直至晶体生长工序彻底结束。该方法解决了现有技术因热耦合动态变化导致的功率失配问题，显著提高温场稳定性与碳化硅晶体质量。