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기록
一种应变调控半导体薄膜载流子反常负扩散的方法及其应用
발명알 수 없음
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
G01N 21/31 (2006.01)G06F 17/11 (2006.01)H10N 97/00 (2023.01)G01N 3/08 (2006.01)
本发明属于载流子传输观测技术领域,具体涉及一种应变调控半导体薄膜载流子反常负扩散的方法及其应用,能够实现对二维半导体中载流子“负扩散”现象进行实验判定与定量化表征,以及通过施加应变主动调控初始负扩散强度。本发明通过对二维半导体中载流子“负扩散”现象进行实验判定与定量化表征的标准化方法,填补该现象在实验观测与定义上的空白,揭示单轴拉伸应变对负扩散常数具有特异性、显著性放大作用的物理规律,建立应变与负扩散系数之间的定量关联模型。在二维半导体中观察到的一种反常载流子动力学行为,即初始负扩散现象,通过施加应变主动调控该负扩散强度。