一种半导体器件模型残差鞅诊断方法及系统

本发明公开了一种半导体器件模型残差鞅诊断方法及系统。该方法通过半导体参数测试仪、探针台或器件测试设备获取真实器件电流‑电压曲线，调用待评估模型生成同网格曲线；基于训练数据集确定预处理参数并应用于验证数据集，形成有符号残差；按偏置、几何、批次、扫描方向或测试顺序建立有序残差序列，估计条件漂移，计算RMS、MRR、局部MRR和累积残差边界比；据此生成模型修正建议、版本准入或退回标识及验证报告。本发明可识别RMS或普通训练‑验证误差难以揭示的结构化残差和过拟合风险。