一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统

本发明涉及功率半导体器件检测技术领域，公开一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统。本发明逐个执行不同栅偏历史的两个测量过程；每个过程重复执行条件化周期和操作性阈值读出，直至响应序列满足预设收敛条件并记录阈值锚点；将阈值锚点对应电压与同一预设正向栅压增量相加确定目标电压，根据栅极相对于Kelvin源极端的实际电压触发漏极探测电流脉冲；从目标电压确定至采样窗口结束保持目标电压设定值不变，对栅压、漏极电压和漏极电流执行采样准入，计算两个过程的等效导通响应及状态相关等效导通响应差。系统包括Kelvin参考栅压源、漏极探测脉冲源、三路采样通道、控制电路和响应计算电路，用于执行上述方法。