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接近度传感器设备、系统以及制造所述设备的方法
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10조회수
15청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
H·希瑞斯托夫; S·卡利亚佩鲁马尔维拉潘迪安; A·范德维尔; W·鲁伊特霍伦
출원일
Apr 8, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
G01V 3/11 (2006.01)H10W 44/20 (2026.01)H10W 70/05 (2026.01)H10W 70/65 (2026.01)H10W 70/655 (2026.01)H10W 95/00 (2026.01)H10P 58/00 (2026.01)H03K 17/95 (2006.01)
本申请公开了接近度传感器设备和系统。一种接近度传感器设备(101),包括:第一线圈布置,包括在至少一个第一RDL层中实现的第一激励线圈(TX1)和第一接收器线圈(RX1);第二线圈布置,包括在至少一个第二RDL层中实现的第二激励线圈(TX2)和第二接收器线圈(RX2),第二RDL层与第一RDL层间隔至少200 μm;半导体器件(10),布置在第一RDL层与第二RDL层之间的空间中,并且包括用于激励该激励线圈的激励电路(213;313)和用于接收一个或多个信号的接收器电路(214;314);以及评估电路(215;315),用于确定导电目标(102)的位置,导电目标(102)能朝向和远离接近度传感器设备移动。一种包括所述设备和所述可移动目标的接近度传感器系统。一种制造所述接近度传感器设备的方法。