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一种基于中高频误差协同抑制的熔石英元件激光抛光工艺多目标优化方法及系统

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§ Ⅰ

개요

발명자

赵林杰; 张天浩; 陈明君; 程健; 尹朝阳; 张紫晓; 李天元; 刘赫男

출원일

Aug 5, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

G05B 19/418 (2006.01)

本发明提供一种基于中高频误差协同抑制的熔石英元件激光抛光工艺多目标优化方法及系统,属于光学元件超精密制造领域。为了解决现有激光抛光过程中存在大口径光学元件表面中频误差与高频误差难以协同抑制的问题。本发明包括测量获得中高频误差,获取工艺参数与中高频误差定量关系,计算相较于最大中高频误差的抑制率,对抑制率进行归一化获得抑制系数分布,计算获得工艺参数与中高频误差协同抑制因子关系,最终获得最大抑制因子对应的多目标优化后的激光抛光工艺参数组合。本发明解决了激光抛光技术中,中频误差与高频误差协同抑制难题,同时满足了元件服役过程中对高频粗糙度与中频波纹度的需求,提升了熔石英元件抛光表面质量。