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一种针对晶圆温度的控制方法、装置及系统

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§ Ⅰ

개요

발명자

吴少良; 吴元明

출원일

Jun 25, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

G05D 23/20 (2006.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 72/72 (2026.01)

本发明提供了一种针对晶圆温度的控制方法、装置及系统,所述方法包括:监测背氦流量,所述背氦流量用于指示静电卡盘与晶圆之间的吸附力;在所述吸附力与标准吸附力不一致的情况下,调整所述吸附力,以使得所述吸附力与所述标准吸附力一致,所述吸附力与所述标准吸附力一致用于间接反映晶圆之间的温度一致。本方案中,通过监测背氦流量来衡量晶圆与ESC的贴合程度,保证ESC与晶圆间的热传递始终保持在标准范围内,进而保证晶圆与晶圆间温度一致性以及晶圆温度均匀性。