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一种基于RBF神经网络自动调节ADRC控制器参数的单片式硅外延设备反应腔温度控制方法和系统

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§ Ⅰ

개요

발명자

金波; 索佳喆

출원일

Aug 18, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

G05D 23/22 (2006.01)G05B 11/42 (2006.01)

本发明公开了一种基于RBF神经网络自动调节ADRC控制器参数的单片式硅外延设备反应腔温度控制方法和系统,涉及硅外延设备反应腔温度控制技术领域,包括:利用RBF神经网络识别单片式硅外延设备反应腔温度并计算功率对温度的影响程度;基于温度设定值和采集的实际温度,以及所述影响程度对ADRC控制器中线性状态扩张观测器的干扰参数和线性比例‑微分反馈律的比例参数和微分参数进行更新优化;控制阶段,利用ADRC控制器基于更新参数计算输出功率以实现单片式硅外延设备反应腔温度控制。本发明能够高效控制单片式硅外延设备反应腔各个区域的温度以提升成品质量。