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一种面向低温处理器的eDRAM多级缓存系统及方法

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§ Ⅰ

개요

발명자

姜汉钧; 王万年

출원일

Jul 20, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

G06F 12/0877 (2016.01)G06F 12/0897 (2016.01)G06F 12/0811 (2016.01)

本发明公开了一种面向低温处理器的eDRAM多级缓存系统及方法,通过利用低温环境下eDRAM存储单元漏电降低、数据保持时间延长的特性,将eDRAM应用于低温处理器的L1缓存、L2缓存和L3缓存中,并根据不同缓存层级在访问频率、容量需求、可靠性需求、面积效率需求及访问延迟需求方面的差异,建立缓存层级需求与eDRAM存储单元特性之间的映射关系,从而在保证低温处理器缓存可靠性的同时,提高片上缓存密度,降低刷新开销、访问冲突和系统功耗。