半导体器件数值的计算方法和装置、电子设备和存储介质

本申请公开了一种半导体器件数值的计算方法和装置、电子设备和存储介质，用于解决现有技术中对半导体器件在碰撞电离效应过大时仿真结果不理想的问题。其中该方法包括确定待求解的半导体器件的控制方程；对控制方程进行迭代求解，直至确定控制方程的最终解；其中，控制方程的迭代求解包括：基于当前迭代步半导体器件网格的网格点与相邻网格点之间的距离、以及载流子饱和漂移速度，确定载流子经过网格边的特征时间；基于网格点的载流子浓度和特征时间，确定网格点的载流子产生率上限；基于载流子产生率上限，对网格点的载流子产生率进行修正；基于网格点修正后的载流子产生率，进行控制方程当前迭代步的求解。