晶圆缺陷检测方法、设备、存储介质及程序产品

本申请公开了一种晶圆缺陷检测方法、设备、存储介质及程序产品，涉及半导体技术领域，包括：在目标晶圆的非功能区形成标准缺陷图样；响应于缺陷检测指令，获取第一数量、第二数量和第三数量；针对任一待检测晶圆，获取第四数量、第五数量和第六数量；基于标准缺陷图样的数量、第一数量、第二数量、第三数量、第四数量、第五数量、第六数量和预设的校正模型，对工艺缺陷点的估计数量进行校正得到待检测晶圆的缺陷检测结果。本申请在抽样样本数量压缩的情况下，提高了缺陷率估计的准确性和良率风险判断的可靠性。