基于写入热度图感知的SLC NAND阵列分区干扰抑制方法及系统

本发明涉及智能芯片技术领域，公开了一种基于写入热度图感知的SLC NAND阵列分区干扰抑制方法及系统，所述方法包括获取写入频率定位写入热点，提取演变特征预测电压扰动，根据所述电压扰动确定写入热点周围的相邻单元，计算二者的电容耦合强度并映射为风险值，据此生成编程控制电压进行电学控制，再通过执行读取验证操作判定数据翻转，最终执行二次电学控制阻断耦合扩散，实现了对单层单元闪存阵列写入干扰的分区精准感知与主动抑制，提升了数据保持可靠性。本方法能够实现写入负载的动态干扰抑制机制。