一种高致密度硼化钨基γ射线和中子复合屏蔽材料及其制备方法

本发明公开一种高致密度硼化钨基γ射线和中子复合屏蔽材料及其制备方法，所述复合材料，按质量百分比计，包括如下组分：硼化钨粉体80～95%、稀土氧化物粉体3～20%、金属活化助烧剂0.5～8%；所述金属活化助烧剂选用Ni、Cr、Fe、Co中的至少一种。本发明通过引入特定单质金属粉末作为金属活化助烧剂，能够在烧结早期形成瞬时液相或高扩散界面层，增强颗粒润湿和重排能力，改善硼化钨颗粒与稀土氧化物颗粒之间的界面结合状态，保证了引入稀土氧化物提高材料屏蔽性能的同时实现充分致密化，从而显著提高材料的致密度、屏蔽性能和综合力学性能。